又一半導體巨頭“栽”了！

日前，因實錘存安全隱患，全球第三大存儲巨頭美光或臨被禁售的處罰，消息一出，群情激憤，熱搜指數爆表，連吃瓜群眾都拍手稱快，這個在中國“作惡多端”的美國科技公司，終于要品嘗“鐵拳”的滋味了，那是否意味著長江、長鑫等國產存儲廠商迎來了千載難逢的出頭機會了？

美光敗退中國，怨得了誰？

五月中旬，OPPO解散哲庫令不少業內外人士嘆息，半導體產業鏈上空一度籠罩幾絲陰霾，沒想到，五月下旬，就迎來了一則令人振奮的消息——存儲芯片龍頭美光敗退中國市場，或成定局！

美光此番遇挫之所以令眾網友拍手稱快，大概率就是種惡因得惡果的真實寫照：

2017年~2022年，美光通過專利站迫使聯電交巨額罰款和解，同時讓聯電合作伙伴福建晉華元氣大傷，一期投資了32億美元的DRAM項目無奈流產，國產DRAM行業遭遇沉重打擊。

這五年，原本是晉華集成崛起乃至騰飛的絕佳機遇，卻無奈錯失，自此陷入停擺，一度瀕臨破產邊緣。

晉華被搞得奄奄一息，美光對我們半導體產業鏈卻在窮追猛打：

2022年10月，美光明確限制向中國出貨可被用于128層及以上3D NAND 、18nm及以下DRAM制造的相關設備，并且向老美告密“長江存儲向華為供貨”，令人大為震驚。

華為巔峰時期，一己之力為美光貢獻了13%的營收，是美光全球范圍內最大的客戶之一，沒想到華為遇挫被卡之際，美光不伸出援出就罷了，還在背后狂捅一刀。

2022年10月7日，長江存儲和長鑫存儲直接被納入了“未經核實清單”，去年12月15日，長江存儲被正式納入“實體清單”。

也因此，原本已經通過蘋果技術認證的長江存儲，遺憾錯失了iPhone 14系列的全球訂單！

好嘛，晉華、長江、長鑫，多少都是直接涉及到DRAM、NAND Flash等業務，算得上你美光的直接競爭對手，那中芯國際一個Foundry，又怎么惹到你了呢？

多家媒體報道，美光曾阻止美國進出口銀行對中芯國際提供的一筆6.5億美元的貸款，以試圖阻礙中芯國際拓展國際業務，你們細品。

甚至在上個月，美光就“先知知覺”地通過游說白宮給韓企（三星和海力士）帶話（施壓）。

……

多行不義的美光，在中國市場的份額連年下滑，甚至全球市場的營收都受到了巨大沖擊：

2018年，中國大陸市場，美光斬獲173.57億元美元的營收，占其年度總營收的58%，而到了2022財報，美光在中國內地市場僅實現了32.32億美元的收入，占比銳降至10.8%；

不久前公布的2023財年二季度更顯示，美光報告期內僅實現36.93億美元營收，同比暴跌52.6%，凈虧損達23.12億元美元，堪稱美光“史上最慘單季報。”

2022年12月，美光宣布將裁員15%，意味著至少7200名員工將失業，同時美光高管工資也將進一步削減，2023財年的年終獎也將暫停發放；

不難預料，在中國市場不到11%的份額，也終持續滑落，那個昔日高高在上的美光，徹底神壇跌落了！

長江長鑫：仍需砥勵前行！

美光折戟中國市場，但是長江、長鑫等國產存儲巨頭們還不能高興太早，在DRAM & NAND Flash江湖，我們是機遇與風險并存，仍然面臨著一系列不確定性的挑戰，哪怕最終走了一個美光，還有更強的三星、SK海力士在遙望。

美光從中國的戰略撤退，早有征兆，目前僅余西安的一座工廠和一支銷售團隊，其位于上海的研發中心基本都裁光了，2023年2月15日，美光上海和西安正式裁員，現場通知完立馬走人，延續了其全球市場“10分鐘裁員”的高效紀錄，不過有媒體報道，美光似乎給出了N+3的補償，甚至還有一筆0.5~1N不等的譴散費，所以鮮有被裁員工鬧事的。

好嘛，你裁員也好、解散在上海的研發團隊也罷，都是你企業的權利，無可厚非，但是據媒體報道，你美光不僅解散了上海的內存設計團隊，還推動40多名核心技術工程師移民美國，這是連一個人才都不給中國留啊？吃相未必太難看了。

2023年4月，美光在印度投資10億美元，建立了一座IC封裝測試工廠；同年5月，美光又計劃未來數年在日本投資37億美元，并利用ASML最先進的EUV在廣島建廠生產1-gamma節點的DRAM芯片，并且作為唯一總部在美國本土的公司，美光還計劃在紐約投資150億美元建設超級大廠，美光戰略重心轉移到美、日本和印度已是不爭的事實。

那美光吐出來的11%左右的中國市場，誰最有機會分大頭呢？

從2022年全球DRAM和NAND Flash市場份額來看，三星、SK海力士和美光仍然無懸念包攬前三，三者總份額達81.9%，鎧俠排名第四，西部數據排名第五，中國所有存儲廠商的份額之和被囊括進了4.6%中。

也就是說雖然我們有長江存儲、合肥長鑫等優秀的國產品牌，但是總的份額來看，目前仍然是others，份額之和都不到三星海力士美光的零頭。

不同于NAND Flash，對技術含量要求更苛刻的DRAM芯片領域，合肥長鑫存儲可以說是承包了空白，是目前中國大陸唯一能自主專利生產DRAM的廠商（晉華的專利之殤不會在長鑫身上重演），并且長鑫成了全球第四家采用20nm以下工藝的廠商。

制圖：前瞻研究院

三星在2020年上半年完成首批10nm制程DRAM的出貨，美光和SK海力士在2021年完成了10nm DRAM的量產，長江存儲基于對原收購的奇夢達DRAM專利進行了重新架構設計，耗資25億美元，最終實現了19nm 工藝的DDR4（電腦用）和LPDDR4（中低端手機等便攜終端可用） DRAM量產，已是重大突破，但是仍處在16nm~19nm的1Xnm階段，目前TOP 5存儲巨頭已經到了10nm以下工藝階段的PK賽，距離TOP 5尚有3~5年左右的代際差的長鑫，仍需努力追趕。

分析到這里，基本也就有了清晰的答案了

美光吐出的蛋糕，在DRAM領域的話，國產唯一實力吃的長鑫存儲也僅能吃到一些DDR3、DDR4的份額，無緣DDR5、LPDDR5蛋粒，但好在，中低端的PC、手機等產品也有一定的存量空間（DDR4、LPDDR4/X也夠用），以及對內存性能要求遠不如手機夸張的車規市場（DDR3、LPDDR3完全夠用），趁著新能源和AI的雙風口，長鑫沒準也能大賺一波。

長鑫發明專利申請量，天眼查

而NAND Flash市場，長江存儲基本就能大顯身手了，據大V@機海風云報道，早在去年12月份，長江存儲就搞定了232L 3D NAND Flash產品X3-9070的量產，并且首發搭載在海康威視的CC700 2TB SSD上面，且現貨開售。

長江存儲的X3-9730閃存顆粒是基于Xtacking架構開出來的，而Xtacking是長江存儲的原創技術，于2018年8月在美國FMS首發，它有別于美光、三星和SK海力士們將外圍電路放到存儲單元下方的技術邏輯，而是破天荒地將存儲陣列和外圍電路分開放到兩個晶圓上加工處理，再垂直互聯通道鍵合和接通電路。

這樣一來的好處是，首先能確保外圍電路（讀寫單元）使用較先進的制程工藝以提升芯片性能，同時能保障存儲單元繼續使用穩定性最好的20nm制程節點，也就是說既沒有存儲數據丟失的擔憂，也沒有讀寫速度跟不上的煩惱，長江存儲的這一技術可以說相當具有遠見了。

而反映到開發與量產流程上，還有一個顯而易見的好處：

存儲單元和讀寫單元可以分開設計，這樣整體的產品研發周期能至少縮短3個月，生產周期也能縮短20%，這就是為何最終X3-9070成了零售市場首個面市的232層閃存芯片的秘密。

這波意義非凡，意味著，在NAND閃存市場，國產品牌長存，已經憑實力走在了三星、美光和SK海力士這三巨的前面，成為全球第一個搞定232L量產并進入零售的廠商（三星美光等計劃表中量產時間早于長存，但卻種種原因遲遲未進入零售，足以說明長存效率驚人）。

在DRAM市場，目前我們語語權和產品力相對薄弱一些，但合肥長鑫已在努力提升進度了，而且在如此高技術壁壘的市場，合肥長鑫能自主搞定DDR4、LPDDR4/X，且中芯國際完全可以代工，這已是重大的勝利！

在NAND Flash市場，武漢長江存儲表現如此威猛，著實驚艷了一把，居然在部分產品和最先進的技術制程上反超了三星、美光和SK海力士等巨無霸，你敢想？但就是做到了，而且華為高端機Mate 40就曾經搭載過，說明不僅對于高端PC還是高端智能機市場，NAND這塊，我們可以自主供應高端閃存了，車規市場更是不在話下了。

唯一的變量，就是老美的“實體清單”伎倆會否濫用了，目前來看，一旦長鑫和長江份額取得突破，它們必然會炮制各種莫須有的理由，把這二者納入List，也即仍存在被卡脖子的風險！

長鑫和長江雖然技術專利上自給自足，但是芯片生產制造環節，還依賴于含歐美技術的半導體設備/技術方案等，雖然16nm~20nm制程中芯國際能代工，但中芯國際代工的機器也是ASML的DUV，而且你要想跟三星、SK海力士和美光、鎧俠等巨頭競爭，你的工藝制程還得不停往10nm以下下探，14nm開始中芯國際直接被老美給封死了，128L以上的閃存芯片半導體設備，又被老美給封死了，像《三體》智子封鎖地球科技一樣，直接卡住了長鑫和長存的技術上限&產能，不得不說，這一招，太狠了。

當然，困難一定不會是長遠的，我們終能找到解決的方案！

假以時日！長鑫、長江在內的優秀國產存儲大廠們，不僅能夠吃到美光吐出的肉，而且有實力跟三星、SK海力士和美光、鎧俠等存儲巨頭繼續在全球市場PK，未來只會吃到更多的肉，我相信，沖出other，只是時間早晚！

參考資料：

信源綜合上游新聞、STV新聞坊、投資者網、互聯網那些事、芯光社、天眼查等，部分圖源網