眾所周知，我國高端芯片一度飽受卡脖子之苦，而伴隨芯片領域“奧林匹克”大會ISSCC的最新成績單公布，我國在芯片科研領域著實揚眉吐氣了一把：ISSCC 2023，中國憑總收錄論文排名第一的好成績，強勢超越美國，也更讓我們期待，在舉國大力發展集成電路的當下，世界半導體格局改寫的拐點，是否會提前到來？

ISSCC 2023最大贏家誕生！

萬眾期待的ISSCC 2023將于2023年2月19日在舊金山招開，但近日， ISSCC召開的線上發布會提前公布了2023年ISSCC獲選論文情況，中國總收錄量排名第一，美國排名第二，從收錄絕對值上看，中國是美國的2倍之多。

ISSCC全稱IEEE International Solid-State Circuits Conference，也即IEEE國際固態電路會議，它是工程師和研究人員展示固態電躍和系統級芯片（SoC）最新研究成果的全球性學術交流論壇，最早舉辦于1953年，幾十年來一直以“芯片奧林匹克”的稱號享譽世界，是世界學術界和企業界公認的集成電路設計領域最高級別會議，代表著芯片領域國際最高學術水平，含金量之高，絕無僅有！

在ISSCC 60多年的歷史中，無數個集成電路史上里程牌式的發明都是在它上面首次披露：

1962年，世界第一個TTL電路誕生；

1968年，世界首個集成模擬放大器電路誕生；

1970年，世界第一個1KB的DRAM內存芯片問世；

1972年，世界第一個CMOS electronic wristwatch問世；

1974年，世界第一個8-bit 微處理器誕生；

1982年，世界第一個32-bit微處理器誕生；

1984年，世界第一個1MB的DRAM內存芯片問世；

1995年，世界第一個1GB的DRAM內存芯片誕生；

1995年，世界每一個集成GSM transceiver面世；

2002年，世界第一個GHz微處理器誕生；

2005年，世界第一個多核處理器面世；

……

中國贏得這樣的殊榮，也是對中國芯片科研水平的最好證明，當然，中國此次論文收錄斬獲世界第一，背后最大的功臣當屬高校軍團，其中，澳門大學貢獻了15篇論文，清華大學貢獻了13篇文，北大貢獻了6篇，電子科大貢獻了5篇等。

過去7年，ISSCC冠軍都被美國牢牢霸占，其余國家/地區與美國的收錄論文差距顯著，哪怕是在差距最小的2022年，美國也還是領先了第二名韓國28篇，而ISSCC 2023年，美國被中國一舉超越，足見中國為半導體攻堅付出了難以想象的努力，才取得了如此驚人的成績。

不過，雖然ISSCC 2023的論文成就來之不易，但要轉化成半導體產業鏈的生產力，還有不小的距離，仍有一系列難題要攻克。

超越美國，萬里長征第一步！

芯片設計領域我們的水平一直不差，甚至部分賽道已經是世界一流，比如超級計算機賽道，我國自研的申威CPU，再如手機賽道，華為海思自研的麒麟SoC，這些都能與同代際的國際大廠芯片的性能一較高下，然而遺憾的是，如任正非所言，真正阻礙我們的是，設計的先進制程工藝芯片無法自主生產制造出來。

集成電路上升到國家戰略高度后，國家大基金、地方也都是各項財政補貼，都在鼓勵企業芯片研發，單企業最高重獎1000萬，其中就特別強調了EDA工具和IP核的開發，目前EDA工具仍被美國壟斷，IP核也要看ARM臉色（申威自研了指令集、自研了架構，但消費領域還是ARM主流），為了徹底不被卡脖子，這些核心本領最終還是要掌握在自己手里。

我們再回顧ISSCC 2023中國收錄的論文分布（內地、香港、澳門）

ISSCC的學術議題涉及模擬電路(ANA)、數字系統(DAS)、數字電路(DCT)、存儲器(MEM)、有線傳輸(WLN)、電源管理(PM)、模擬/數字轉換器(DC)、射頻電路(RF)、無線傳輸(WLS)、技術方向(TD)、影像/微機電/醫療/顯示(IMMD)和機器學習(ML)。

對照技術板塊來看，我國在存儲器和射頻領域成果頗豐，提交的論文占總論文比例分別高達15%和17%，電源管理（PM）也高達12%，這或許可以一定程度上解釋我們國產的長江和長鑫存儲技術發展迅速，也解釋了包括小米、OV在內的國產手機廠商，在氮化鉀超快充與電源IC芯片上的重大突破，而數字系統、數字電路、技術方向和IMMD板塊上，相對薄弱，同時也這反映了我們還有潛力待發掘。

值得一提的是，包括CPU、GPU、DSP、APU等在內的通用處理器，恰恰都屬于規模最大、結構最復雜的數字電路芯片，按通用處理器芯片可集成100多億只晶體管計算，通用處理器大致包含了30多億個與門、或門、非門電路，也因此，這類數字電路芯片又被歸類為巨大規模集成電路，當下走進千家萬戶的基于ARM核的SoC芯片同理。

當數字電路在軟件設計上趨近瓶頸時，決定CPU或SoC性能的關鍵要素，也就轉移到芯片的制程工藝上來了，目前最先進的高端芯片制程工藝有7nm、5nm、4nm以及明年由iPhone 15系列首發搭載的3nm A17等。

而EDA開發工具和ARM公司都遵循美國的出品管制規定之后，最先進的制程工藝對我們鎖死，意味著，我們即便想自主研發7nm、5nm、4nm芯片，也是巧婦難為無米之炊，好在14nm、28nm及以上等成熟（非高端）的制程工藝，我們仍然能順利進口相關產品與技術，比如中芯國際從ASML采購的DUV光刻機。

那么方向也就明晰了，在極度依賴高端芯片的智能手機等行業，繼續從高通進口，同時，繼續大力推動光刻機、刻蝕機、EDA工具等設備技術工具的自主開發；在并不十分依賴制程工藝的新能源汽車、AI物聯網等相關產業，加大力度實現我們的自給自足（自己設計芯片、自己代工、自己使用），減少進口。

突破光刻機和EDA的自主，我們需要更多的時間和更關鍵的人才，但，最終的勝利一定會屬于我們，君不見：

從肖克利實驗室和仙童時期就參與行業啟蒙、并提出CMOS技術的薩支唐教授；

提出NVM存儲技術、NAND Flash核心發明人的施敏教授；

提出FinFET和FDSOI的胡正明教授（梁孟松的導師，巨佬背后的巨佬）；

入選ISSCC 50周年十大貢獻者的黃秋庭教授；

……

這些芯片泰斗級巨咖無一例外都是大陸出身，橫貫學術和產業的華人，在集成電路進化史上做出了巨大的貢獻。

再有關乎芯片性能的材料，在材料科學領域，我國更是人才濟濟，全球頂尖的100位材料科學家中，14名都是華人，前6名中，更是5名都來自于中國科技大學的中國人。

論聰明才智，黃種人不遜于世界任何人種，當企業高校研究所的執著研發和來自各領域的人才匯聚于一起時，假以時日，我們一定能真正實現半導體產業鏈的全自主。

加油！

參考資料：

信源綜合EET中文網、ISSCC官網、偷芯大盜羅、芯智訊、失效分析設備、畢杰等，部分圖源網